多晶陶瓷材料的微观结构如图1所示,是复杂的结构体,然而在单晶中却不存在晶界。此外,由于空隙、缺陷、副成分相的存在,而赋于材料以多种特性。以往将这些晶界及副成分相等看作是有害因素,尽量将其排除,最大限度地使材料接近单晶。但自从知道了将晶界和表面从积极方面加以利用,便可获得新的功能后,反而将其充分利用,促进了功能陶瓷的开发。 现将图1的晶界部位进行简要说明。因为晶界附近的能量高,所以,通常杂质聚集于晶界。这时,杂质或在晶粒之间形成第二相乃至第三相,或偏析于晶界。根据杂质和添加物的多少,微观结构由图1的A向B移动。但这时晶界的形状、晶粒的形状随物质、成分和烧结方面而变化。例如,在氧化铝中,虽然以Al2O3-MgO系为原料组成进行烧结的,但这时MgO在晶界偏析而抑制Al2O3晶粒成长,所以获得了如图2(a)所示的烧结组织, 气孔被排除。它作为透光性氧化铝,可以用作钠灯的外套管。图2(b)所示是晶粒异常成长之一例。它虽然也可作为氧化铝陶瓷之一,但却是由于杂质介入和原料颗粒直径变化而产生的物质。晶粒的尺寸从强度方面来看也是重要的,通常,材料的强度由下式表示。
式中,γt ——破坏能;E——弹性模量;C——开裂长度的二分之一;Y——几何常数。该式中的C,相当于直接影响强度的最大开裂的长度。当然,晶粒直径、气孔直径也包括在内,而且最大直径与其对应。因而,异常晶粒的存在也会使强度降低,即使平均粒径大,也会导致强度的下降。在前述氧化铝陶瓷情况下,为了确保强度,晶粒的直径最好是小一些。上式的分子相当于断裂韧性值KIC。将作为机械材料而引人注目的氮化硅陶瓷那样的晶粒形状长柱化,从而提高KIC值也是可行的(图3)。晶界的存在对电子陶瓷也极为重要。氧化锌(ZnO)非线性电阻和PTC陶瓷、BL电容嚣等就是利用了晶界的陶瓷。另外,利用其表面的多孔质陶瓷,除作为催化剂载体而广泛使用外,作为气敏元件、湿敏元件使用也是重要的。 信息来源: |